จีน โมดูล IGBT มอเตอร์ไฟฟ้า อินเวอร์เตอร์ สเตจ ผู้ผลิต โรงงาน ซัพพลายเออร์

โมดูล Bridge PIM 3-เฟสเต็ม-ของเรารวมชิ้นส่วนกำลังทั้งหมดไว้ในแพ็คเกจเดียว เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในปี 1987 โมดูล Bridge PIM

โมดูลสวิตช์ไฟทางอุตสาหกรรมครอบคลุมระดับแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรมกระแสหลักที่ 600 V และ 1200 V โดยมีกระแสพิกัดตั้งแต่ 30 A ถึง 500 A ในเกรดต่างๆ

โมดูลเซมิคอนดักเตอร์สมาร์ทพาวเวอร์รวมชิป IGBT, วงจรขับ, การป้องกันกระแสเกิน-, การป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน-, การป้องกันอุณหภูมิเกิน- และฟังก์ชันป้อนกลับอุณหภูมิ รองรับแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรม 600V

โมดูล IGBT ประสิทธิภาพสูงใช้แพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V ขนาดกะทัดรัดที่มีพิกัดกระแสตั้งแต่ 20A ถึง 120A

โมดูล Universal IGBT Semiconductor ครอบคลุมแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V และ 1200V ด้วยพิกัดกระแสตั้งแต่ 30A ถึง 150A วงจรบัฟเฟอร์ในตัวทำให้การออกแบบวงจรภายนอกง่ายขึ้น

ส่วนประกอบ IGBT กระแสสูงมีจำหน่ายในแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V และ 1200V โดยมีพิกัดกระแสตั้งแต่ 100A ถึง 600A วงจรป้องกันวงจร-ลัดวงจร-ในตัวช่วยลดความเสี่ยงของระบบที่ล้มเหลว

IGBT Semiconductor ขนาด 100 แอมป์มีจำหน่ายในเกรดแรงดันไฟฟ้าสองระดับ: 600V และ 1200V วัสดุซับสเตรตการกระจายความร้อนแบบรวมช่วยลดความซับซ้อนในการออกแบบการระบายความร้อนของระบบ

igbt 1200v ของเราสร้างมาเพื่อคุณ เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 igbt 1200v นี้เป็นคลาสแรงดันไฟฟ้าที่ได้รับความนิยมมากที่สุดของเรา ครอบคลุมตั้งแต่ 10A ถึง 900A

igbt กำลังสูงของเราเหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมระดับเมกะวัตต์- บริษัทของเราเริ่มต้นในปี 1987 เรามีทีม R&D และทีมขายของเราเอง igbt

โมดูล IGBT ขนาดกะทัดรัดของเราใช้แพ็คเกจขนาดเล็ก เหมาะสำหรับอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัด Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. เริ่มต้นในปี 1987 เรามีทีม R&D และทีมขายของเราเอง เราสร้างโมดูล IGBT

โมดูล IGBT เกรดอุตสาหกรรม-ของเราผ่านการทดสอบความน่าเชื่อถืออย่างเข้มงวด พวกเขาสามารถทำงานได้เป็นเวลานานในสภาพโรงงานที่ยากลำบาก Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. เริ่มต้นในปี 1987

โมดูล IGBT แบบแพ็คเกจของเราใช้-รูปร่างและหมุดมาตรฐานอุตสาหกรรม พวกเขาสามารถทดแทนแบรนด์ยอดนิยมได้ เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 โมดูล IGBT