จีน โมดูลสวิตช์เดี่ยว IGBT ผู้ผลิต โรงงาน ซัพพลายเออร์

โมดูล Bridge PIM 3-เฟสเต็ม-ของเรารวมชิ้นส่วนกำลังทั้งหมดไว้ในแพ็คเกจเดียว เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในปี 1987 โมดูล Bridge PIM

ทรานซิสเตอร์กำลัง 1200 โวลต์ครอบคลุมพิกัดกระแสตั้งแต่ 20A ถึง 300A และรวมชั้นบัฟเฟอร์ฉนวนเพื่อลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าแรงดันสูง- เหมาะสำหรับระบบไฟฟ้าอุตสาหกรรม 380V/480V

โมดูลสวิตช์ไฟทางอุตสาหกรรมครอบคลุมระดับแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรมกระแสหลักที่ 600 V และ 1200 V โดยมีกระแสพิกัดตั้งแต่ 30 A ถึง 500 A ในเกรดต่างๆ

โมดูล IGBT ประสิทธิภาพสูงใช้แพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V ขนาดกะทัดรัดที่มีพิกัดกระแสตั้งแต่ 20A ถึง 120A

ส่วนประกอบ IGBT กระแสสูงมีจำหน่ายในแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V และ 1200V โดยมีพิกัดกระแสตั้งแต่ 100A ถึง 600A วงจรป้องกันวงจร-ลัดวงจร-ในตัวช่วยลดความเสี่ยงของระบบที่ล้มเหลว

โมดูลพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์รองรับการทำงานของตัวพาความถี่สูง- โครงสร้างชิป SiC ที่ทนทานต่ออุณหภูมิ-สูง-สูงทำให้การออกแบบระบบระบายความร้อนง่ายขึ้น อัตราแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ได้ ได้แก่ 600V และ 1200V

IGBT Semiconductor ขนาด 100 แอมป์มีจำหน่ายในเกรดแรงดันไฟฟ้าสองระดับ: 600V และ 1200V วัสดุซับสเตรตการกระจายความร้อนแบบรวมช่วยลดความซับซ้อนในการออกแบบการระบายความร้อนของระบบ

ซีรีส์อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตแบบหุ้มฉนวนครอบคลุมข้อกำหนดแรงดันไฟฟ้าและกระแสหลายแบบ ด้วยการออกแบบชิปที่สูญเสียการสวิตชิ่งต่ำและความต้านทานกระแสไฟกระชากที่แข็งแกร่ง

igbt กำลังสูงของเราเหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมระดับเมกะวัตต์- บริษัทของเราเริ่มต้นในปี 1987 เรามีทีม R&D และทีมขายของเราเอง igbt

โมดูล IGBT วัตถุประสงค์ทั่วไปของเราเป็นเช่นนั้น Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. เริ่มต้นในปี 1987 เราสร้าง-โมดูล IGBT วัตถุประสงค์ทั่วไปเหล่านี้สำหรับขนาดทั่วไปที่สุด. 50A, 75A, 100A, 150A ที่ 650V

โมดูลพลังงานอัจฉริยะของเรามีวงจรขับเคลื่อนและวงจรป้องกันอยู่ภายใน ทำให้การออกแบบของคุณง่ายขึ้นมาก เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 โมดูลพลังงานอัจฉริยะ

โมดูล IGBT แบบแพ็คเกจของเราใช้-รูปร่างและหมุดมาตรฐานอุตสาหกรรม พวกเขาสามารถทดแทนแบรนด์ยอดนิยมได้ เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 โมดูล IGBT