จีน โมดูล IGBT สำหรับระบบเซอร์โว ผู้ผลิต โรงงาน ซัพพลายเออร์

igbt 1200v ของเราสร้างมาเพื่อคุณ เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 igbt 1200v นี้เป็นคลาสแรงดันไฟฟ้าที่ได้รับความนิยมมากที่สุดของเรา ครอบคลุมตั้งแต่ 10A ถึง 900A

ทรานซิสเตอร์กำลัง 1200 โวลต์ครอบคลุมพิกัดกระแสตั้งแต่ 20A ถึง 300A และรวมชั้นบัฟเฟอร์ฉนวนเพื่อลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าแรงดันสูง- เหมาะสำหรับระบบไฟฟ้าอุตสาหกรรม 380V/480V

โมดูลสวิตช์ไฟทางอุตสาหกรรมครอบคลุมระดับแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรมกระแสหลักที่ 600 V และ 1200 V โดยมีกระแสพิกัดตั้งแต่ 30 A ถึง 500 A ในเกรดต่างๆ

ทุกโมดูลได้รับการตรวจสอบอย่างเต็มรูปแบบครอบคลุมการทดสอบความสมดุลของเฟส 3- การทดสอบการเพิ่มอุณหภูมิแบบเต็มโหลด และการทดสอบการทนต่อแรงดันไฟฟ้า ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวได้รับการรับรองการส่งออกอย่างสมบูรณ์

โมดูล IGBT ประหยัดพื้นที่ใช้แพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรม 600V ที่มีพิกัดกระแสตั้งแต่ 15A ถึง 130A

โมดูลเซมิคอนดักเตอร์สมาร์ทพาวเวอร์รวมชิป IGBT, วงจรขับ, การป้องกันกระแสเกิน-, การป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน-, การป้องกันอุณหภูมิเกิน- และฟังก์ชันป้อนกลับอุณหภูมิ รองรับแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรม 600V

ส่วนประกอบ IGBT กระแสสูงมีจำหน่ายในแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V และ 1200V โดยมีพิกัดกระแสตั้งแต่ 100A ถึง 600A วงจรป้องกันวงจร-ลัดวงจร-ในตัวช่วยลดความเสี่ยงของระบบที่ล้มเหลว

ซีรีส์อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตแบบหุ้มฉนวนครอบคลุมข้อกำหนดแรงดันไฟฟ้าและกระแสหลายแบบ ด้วยการออกแบบชิปที่สูญเสียการสวิตชิ่งต่ำและความต้านทานกระแสไฟกระชากที่แข็งแกร่ง

igbt กำลังสูงของเราเหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมระดับเมกะวัตต์- บริษัทของเราเริ่มต้นในปี 1987 เรามีทีม R&D และทีมขายของเราเอง igbt

โมดูล Bridge PIM 3-เฟสเต็ม-ของเรารวมชิ้นส่วนกำลังทั้งหมดไว้ในแพ็คเกจเดียว เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในปี 1987 โมดูล Bridge PIM

โมดูล IGBT เกรดอุตสาหกรรม-ของเราผ่านการทดสอบความน่าเชื่อถืออย่างเข้มงวด พวกเขาสามารถทำงานได้เป็นเวลานานในสภาพโรงงานที่ยากลำบาก Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. เริ่มต้นในปี 1987

โมดูล IGBT แบบแพ็คเกจของเราใช้-รูปร่างและหมุดมาตรฐานอุตสาหกรรม พวกเขาสามารถทดแทนแบรนด์ยอดนิยมได้ เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 โมดูล IGBT