จีน โมดูล igbt สำหรับระบบขับเคลื่อน ผู้ผลิต โรงงาน ซัพพลายเออร์

โมดูล Bridge PIM 3-เฟสเต็ม-ของเรารวมชิ้นส่วนกำลังทั้งหมดไว้ในแพ็คเกจเดียว เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในปี 1987 โมดูล Bridge PIM

โมดูลสวิตช์ไฟทางอุตสาหกรรมครอบคลุมระดับแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรมกระแสหลักที่ 600 V และ 1200 V โดยมีกระแสพิกัดตั้งแต่ 30 A ถึง 500 A ในเกรดต่างๆ

ทุกโมดูลได้รับการตรวจสอบอย่างเต็มรูปแบบครอบคลุมการทดสอบความสมดุลของเฟส 3- การทดสอบการเพิ่มอุณหภูมิแบบเต็มโหลด และการทดสอบการทนต่อแรงดันไฟฟ้า ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวได้รับการรับรองการส่งออกอย่างสมบูรณ์

โมดูลเซมิคอนดักเตอร์สมาร์ทพาวเวอร์รวมชิป IGBT, วงจรขับ, การป้องกันกระแสเกิน-, การป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน-, การป้องกันอุณหภูมิเกิน- และฟังก์ชันป้อนกลับอุณหภูมิ รองรับแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้าอุตสาหกรรม 600V

โมดูล IGBT ประสิทธิภาพสูงใช้แพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V ขนาดกะทัดรัดที่มีพิกัดกระแสตั้งแต่ 20A ถึง 120A

โมดูล Universal IGBT Semiconductor ครอบคลุมแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V และ 1200V ด้วยพิกัดกระแสตั้งแต่ 30A ถึง 150A วงจรบัฟเฟอร์ในตัวทำให้การออกแบบวงจรภายนอกง่ายขึ้น

ส่วนประกอบ IGBT กระแสสูงมีจำหน่ายในแพลตฟอร์มแรงดันไฟฟ้า 600V และ 1200V โดยมีพิกัดกระแสตั้งแต่ 100A ถึง 600A วงจรป้องกันวงจร-ลัดวงจร-ในตัวช่วยลดความเสี่ยงของระบบที่ล้มเหลว

โมดูลพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์รองรับการทำงานของตัวพาความถี่สูง- โครงสร้างชิป SiC ที่ทนทานต่ออุณหภูมิ-สูง-สูงทำให้การออกแบบระบบระบายความร้อนง่ายขึ้น อัตราแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ได้ ได้แก่ 600V และ 1200V

igbt กำลังสูงของเราเหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมระดับเมกะวัตต์- บริษัทของเราเริ่มต้นในปี 1987 เรามีทีม R&D และทีมขายของเราเอง igbt

โมดูล IGBT ความหนาแน่นพลังงานสูงของเราให้กำลังสูงในขนาดที่เล็กมาก บริษัทของเราเริ่มต้นในปี 1987 เรามีทีม R&D และทีมขายของเราเอง เราใช้เทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ที่ทันสมัย โมดูล IGBT

โมดูลพลังงานอัจฉริยะของเรามีวงจรขับเคลื่อนและวงจรป้องกันอยู่ภายใน ทำให้การออกแบบของคุณง่ายขึ้นมาก เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 โมดูลพลังงานอัจฉริยะ

โมดูล IGBT แบบแพ็คเกจของเราใช้-รูปร่างและหมุดมาตรฐานอุตสาหกรรม พวกเขาสามารถทดแทนแบรนด์ยอดนิยมได้ เราคือหางโจวจงดามอเตอร์ เราเริ่มพัฒนาและจำหน่ายพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ในปี 1987 โมดูล IGBT